Samsung Electronics ha anunciado el comienzo la producción en masa de los chips de 10 nm, adelantando al gigante Intel y a la mayor foundry mundial, TSMC, en tecnología de procesos de fabricación.
El nuevo proceso FINFET de 10 nm (10 LPE) adopta una estructura avanzada de transistores 3D con mejoras adicionales tanto en tecnología como en diseño, en comparación con su predecesor de 14 nm, lo que permite un aumento de hasta 30 por ciento en la eficiencia de área, un 27 por ciento de mayor rendimiento o un 40 por ciento de rebaja de consumo de energía.
Los chips fabricados en procesos de 10 nm estarán disponibles a lo largo de 2017. Además de los propios procesadores Exynos que empleará en terminales como el Galaxy S8, Samsung utilizará esta tecnología para producir modelos de terceros como el Snapdragon 830 de Qualcomm y otros superchips móviles como los SoC Apple para iPhone 8 y superiores.
Con este anuncio, Samsung confirma que es uno de los líderes mundiales en tecnología de producción de semiconductores, si bien otros como Intel, hace tiempo que tienen en desarrollo grandes avances en procesos de producción, que seguramente no han llegado al mercado no por tecnología, sino por necesidades de mercado ante la caída de venta de procesadores para PCs.
Intel pretende saltar a Cannonlake en 2018. Para alcanzar los procesos de fabricación de 7 nanómetros a finales de la década, Intel está investigando en otro tipo de materiales como el arseniuro de indio y galio, en procesos distintos del FinFET actual, nueva litografía y nuevos empaquetados 3D.
Sobre esa base, el futuro para la próxima década serían los 5 nanómetros, una tecnología increíble que puede transformar toda la industria de la computación tal y como la conocemos.
Eso será en el futuro porque de momento Samsung va en cabeza. La compañía ya ha entregado IPs y kits de diseño a los clientes y ya ha anunciado el próximo paso con la segunda generación de estos procesos de producción de 10 nm que llegarán en el último tramo de 2017.
