Los precios de la DRAM y de la memoria NAND Flash llevan varios meses en una situación muy complicada, y al mismo tiempo muy distinta. La primera es un componente fundamental que se utiliza en la fabricación de componentes tan básicos como la RAM y las diferentes versiones de bajo consumo de dicha memoria que se utilizan en dispositivos móviles, mientras que la segunda se emplea en unidades de almacenamiento como SSDs, pendrives y tarjetas de memoria microSD.
El coste de la DRAM había experimentado un crecimiento enorme, y no daba síntomas de que esta situación fuese a cambiar, algo que sin embargo no se repitió con la memoria NAND Flash. La alta demanda llegó a disparar el precio de los contratos de suministro de DRAM, mientras que el aumento de envíos derivado de la maduración de nuevos procesos productivos acabó hundiendo el coste de la memoria NAND Flash.
Según las últimas previsiones se espera una bajada secuencial importante que afectará a ambos tipos de memoria durante el primer trimestre de 2019, y que en teoría será más evidente en el caso de la en el caso de la memoria NAND Flash, que podría registrar con una reducción del 15%. Esa caída será la más grave que veremos a principios de año, pero haciendo un cómputo global de todo 2019 los expertos creen que el precio de la DRAM acabará siendo el más afectado, ya que caerá entre un 30% y un 35%.
La razón principal que explica esa reducción de precios la tenemos en una mejora productiva que rondará entre el 10% y el 15% en el sector de la DRAM, y en una bajada significativa de la demanda, que en principio se mantendrá durante todo el año.
Como vimos en este artículo los smartphones son uno de los motores más importantes del mercado de la memoria NAND Flash y DRAM. Esta realidad nos lleva a pensar que es muy probable que esa caída en la demanda de ambos componentes esté motivada por una ralentización del sector smartphone en 2019, algo que cuadra con las malas previsiones de ventas que han anticipado algunos analistas en relación a gigantes del calibre de Apple.