El proceso de fabricación de memoria NAND Flash QLC está dando muchos quebraderos de cabeza a los grandes del sector, entre los que se encuentran nombres tan importantes como Samsung Electronics, SK Hynix, Toshiba-Western Digital y Micron Technology-Intel.
Estamos ante un importante paso adelante, comparable a lo que supuso en su momento el paso de la memoria NAND Flash MLC a la memoria NAND Flash TLC. La primera permite almacenar dos bits por celda y la segunda tres bits por celda. Pues bien, la memoria NAND Flash QLC sube el listón al ser capaz de almacenar 4 bits por celda.
Gracias a esta nueva tecnología será posible crear unidades SSD más económicas sin tener que hacer grandes sacrificios en materia de rendimiento, capacidad y fiabilidad. Esto significa, en resumen, que la memoria NAND Flash QLC es un paso adelante hacia la democratización de este tipo de productos, que serán un poco más accesibles y podrán llegar a una mayor cantidad de usuarios.
El problema es que se trata de una tecnología nueva y como tal se encuentra en una etapa de transición. Ya ocurrió en su momento con el salto a la memoria NAND Flash TLC, los fabricantes tenían problemas para alcanzar un nivel óptimo de chips funcionales por oblea, lo que unido a la alta demanda acabó generando un amento de precios.
Con la memoria NAND Flash QLC nos encontramos en la misma situación. Los grandes del sector están trabajando con una baja tasa de éxito (menos del 50%), una situación que se mantendrá al menos hasta el primer trimestre de 2019 y que podría generar un incremento de precios bastante marcado que se dejaría notar durante la segunda mitad de dicho año.
De momento la situación del mercado es buena gracias a la elevada tasa de éxito que ofrece la tecnología NAND Flash TLC, pero las transiciones siempre son complicadas, y la implantación de la memoria QLC no será una excepción.