La compañía acaba de presentar las primera muestras de sus módulos de memoria con la densidad más alta de la industria: 32 Gbytes de capacidad. Además, estos dispositivos se caracterizan por operar a 1,35 voltios, cifra que mejora el voltaje ofrecido por el stándar, y posibilitar una transferencia de datos a una tasa de reloj efectiva de1.066 MHz.
Estos módulos, que entrarán en producción masiva en el mes de abril, estarán fabricadas en procesos tecnológicos de 40 nanómetros 4Gb DRAMs y serán para servidores de alto rendimiento posibilitando equipos 2-way con 384 Gbytes de memoria y hasta 2 Tbytes en servidores 4-way.
Una gran capacidad gracias al uso de la mayor densidad en la fabricación actual de memorias para computación. Operarán a 1,35 voltios (por debajo de los 1,5 establecidos por el estándar DDR3) a 1.066 MHz de tasa efectiva de transferencia de datos.
No se conocen otros datos técnicos como su latencia, ni precio o fecha de disponibilidad aunque Samsung ya ha enviado las primeras muestras a socios seleccionados y comenzará la producción masiva de los chips el próximo mes.
